常規(guī)沉積涂覆工藝的缺點(diǎn)：
大量的化學(xué)品消耗，污染嚴(yán)重。
毛細(xì)效應(yīng)，導(dǎo)致高密度器件表面無法實(shí)現(xiàn)涂層。
樣品處理前仍然需要進(jìn)行復(fù)雜的清洗工藝以確保涂層黏附性。
涂覆有方向性，影響整體防護(hù)效果。
涂覆會影響樣品的射頻穿透性及產(chǎn)品的外觀。
設(shè)備工作原理：
Pluto-MC利用等離子體改性時(shí)，將試樣置于特定的離子處理裝置中，通過高能態(tài)的等離子轟擊試樣的表面，將能量傳遞給試樣表層的分子，使試樣發(fā)生
熱蝕、交聯(lián)、降解和氧化反應(yīng)，并使試樣表面發(fā)生C-F鍵和C-C鍵的斷裂，產(chǎn)生大量自由基或引進(jìn)某些極性基團(tuán)，從而優(yōu)化試樣表面的性能。
等離子體對其改性的主要途徑是引發(fā)表面接枝，具體方法是用非聚合氣體(如Ar,H2,O2,N2和空氣等)對樣品表面進(jìn)行等離子體處理，使其表而形成活性自
由基，之后利用活性自由基引發(fā)功能性單體，使其在表面進(jìn)行接枝聚合。利用沉淀反應(yīng)進(jìn)行表面改性,這是工業(yè)上目前應(yīng)用最多的方法。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
1.13.56MHz射頻電源與自動(dòng)匹配系統(tǒng)，具備優(yōu)異的穩(wěn)定性與可重復(fù)性。
2.優(yōu)化的氣體饋入與分布設(shè)計(jì)，提供優(yōu)秀的處理均勻性。
3.可靈活設(shè)置的電極及電極的實(shí)時(shí)可控，滿足功能材料的大面積可控沉積。
4.精準(zhǔn)安全的液態(tài)源供應(yīng)系統(tǒng)，滿足不同功能材料的快速大面積沉積。
5.PLC提供穩(wěn)定的過程控制，設(shè)備運(yùn)行的實(shí)時(shí)參數(shù)通過顯示屏直觀呈現(xiàn)。
6.系統(tǒng)設(shè)置多級管理權(quán)限，集簡易的操作體驗(yàn)與嚴(yán)謹(jǐn)?shù)墓に嚬芸嘏c一體。
產(chǎn)品特點(diǎn)
技術(shù)參數(shù)
應(yīng)用領(lǐng)域
